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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0384160 (2003-03-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 65 인용 특허 : 117 |
A process for producing monocrystalline semiconductor layers. In an exemplary embodiment, a graded Si1−xGex(x increases from 0 to y) is deposited on a first silicon substrate, followed by deposition of a relaxed Si1−yGeylayer, a thin strained Si1−zGezlayer and another relaxed Si1&m
A process for producing monocrystalline semiconductor layers. In an exemplary embodiment, a graded Si1−xGex(x increases from 0 to y) is deposited on a first silicon substrate, followed by deposition of a relaxed Si1−yGeylayer, a thin strained Si1−zGezlayer and another relaxed Si1&m
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