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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0380322 (1998-12-29) |
우선권정보 | FR-1997-716696 (1997-12-30) |
국제출원번호 | PCT/FR98/02904 (1998-12-29) |
국제공개번호 | WO99/35674 (1999-07-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 148 인용 특허 : 13 |
A process for transfer of at least one thin film of solid material delimited in an initial substrate. The process includes a step in which a layer of inclusions is formed in the initial substrate at a depth corresponding to the required thickness of the thin film. These inclusions are designed to fo
1. A process for forming a thin film of material from a substrate, comprising the steps of:(a) forming a gaseous compound trap zone implantation of a layer of inclusions in the substrate at a depth corresponding to a required thickness of the thin film;(b) treating the substrate so as to introduce i
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