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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0647614 (2003-08-25) |
우선권정보 | EP-0104359 (2001-02-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 11 |
An improved insitu hard mask open strategy is performed before carrying out a metal etching process. The method for opening the hard mask made of SiO 2 , Si 3 N 4 or SiON includes providing a substrate having thereon at least one metal layer, the hard mask layer, and a patterned photoresist layer
1. A method for etching a hard mask layer containing a material selected from the group consisting of silicon oxide, silicon nitride and silicon oxynitride, and etching at least one metal layer containing aluminum, which comprises the steps of:providing a substrate having thereon the metal layer, th
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