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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0879530 (2001-06-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 118 인용 특허 : 32 |
A method and structure for fabricating an electronic device using an SOI technique that results in formation of a buried oxide layer. The method includes fabricating at least one first component of the electronic device and fabricating at least one second component of the electronic device, wherein
1. A method of fabricating an electronic device using an SOI technique, said SOI technique resulting in formation of a buried oxide layer, said method comprising:fabricating at least one first component of said electronic device in a first single crystal semiconductor layer; anddepositing a conducti
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