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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0405342 (2003-04-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 125 인용 특허 : 3 |
A method of manufacturing a FinFET device includes forming a fin structure on an insulating layer. The fin structure includes a conductive fin. The method also includes forming source/drain regions and forming a dummy gate over the fin. The dummy gate may be removed and the width of the fin in the c
1. A method of forming a gate in a FinFET device, comprising:depositing a first dielectric layer over a silicon on insulator (SOI) wafer, the SOI wafer comprising a silicon layer on an insulating layer;forming a resist mask over a portion of the first dielectric layer;etching portions of the first d
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