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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0287585 (2002-11-05) |
우선권정보 | KR-0052856 (2002-09-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 9 |
A microwave power sensor and a method for manufacturing the same. The microwave power sensor includes a semiconductor substrate with a nitride or oxide film formed thereon. A membrane which is a portion of the nitride or oxide film is floated by removing a portion of the semiconductor substrate. Fir
1. A microwave power sensor, comprising:a semiconductor substrate with a nitride or oxide film formed thereon;a membrane which is a portion of the nitride or oxide film floated by removing a portion of the semiconductor substrate;first and second thermocouple groups formed to be symmetrically spaced
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