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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0263638 (2002-10-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 58 인용 특허 : 28 |
The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device comprising a III-V semiconductor substrate, and an insulating layer deposited on the substrate by Atomic Layer Deposition (ALD). The use of ALD to deposit the insulating layer was found to facilitate the creation of act
1. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:providing a III-V semiconductor substrate;performing a thermal anneal of said III-V semiconductor substrate, said thermal anneal comprising a temperature of between about 200° C. and about 400° C. for between about 5 and about
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