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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0726583 (2003-12-04) |
우선권정보 | JP-0091173 (2001-03-27); JP-0095301 (2001-03-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 4 |
A low noise, high sensitivity and wide dynamic range uncooled type infrared sensor can effectively reduce the influence of fluctuations of the gate of the amplifier transistor. The infrared sensor comprises an imaging region containing thermoelectric conversion pixels arranged two-dimensionally in t
1. An infrared sensor comprising:an image region containing thermoelectric conversion pixels arranged two-dimensionally in the form of a matrix of a plurality of row and a plurality of columns on a semiconductor substrate to detect incident infrared rays;a plurality of row selection-lines arranged i
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