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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0428449 (2003-04-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 52 |
A microelectronic die comprises a first area, a second area and an under-layer of conductive material formed in the second area to interconnect components. A method of making a microelectronic die comprises forming a layer of insulative material on a substrate; forming at least one trench in the lay
1. A method of making a microelectronic die, comprising:forming a layer of insulative material on a substrate;forming at least one trench in the layer of insulative material spaced above the substrate and extending from proximate one edge of the microelectronic die to proximate another edge of the m
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