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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0241624 (2002-09-12) |
우선권정보 | JP-0297650 (1992-10-09); JP-0172711 (1993-06-18); JP-0200253 (1993-07-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 32 인용 특허 : 59 |
An object of this invention is to provide a semiconductor device manufacturing method in which a semiconductor film is formed over a substrate, the semiconductor film is crystallized by irradiating a laser light, a silicon oxide film is formed in contact with the crystalline semiconductor film by us
19990831, 1999-387054, 6455875; 19970630, 1997-886139, 5962897; 19960514, 1996-645695; 19950125, 1995-378316; 19931008, 1993-131958
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