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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0313349 (2002-12-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 5 |
A heterojunction bipolar transistor ( 30 ) in a silicon-on-insulator (SOI) structure is disclosed. The transistor collector ( 28 ), heterojunction base region ( 20 ), and intrinsic emitter region ( 25 ) are formed in the thin film silicon layer ( 6 ) overlying the buried insulator layer ( 4 ). A bas
1. A method of fabricating a heterojunction bipolar transistor in a single-crystal silicon layer overlying an insulator layer, comprising the steps of:doping at least a portion of the silicon layer to form a collector region;forming an insulator layer over the silicon layer;etching an emitter openin
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