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Method for producing a buried layer of material in another material 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/00
  • H01L-021/84
  • H01L-021/76
출원번호 US-0806511 (1999-10-13)
우선권정보 FR-1998-812950 (1998-10-15)
국제출원번호 PCT/FR99/02476 (1999-10-13)
국제공개번호 WO00/22669 (2000-04-20)
발명자 / 주소
  • Aspar, Bernard
  • Bruel, Michel
  • Moriceau, Hubert
출원인 / 주소
  • Commissariat a l'Energie Atomique
대리인 / 주소
    Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 13  인용 특허 : 6

초록

The aim of the invention is a method for producing a layer ( 2 ) of a first material embedded in a substrate ( 1 ) comprising at least one second material. The method comprises the following stages: formation in the substrate ( 1 ), at the level of the desired embedded layer, of a layer of mi

대표청구항

1. A method for producing a layer made of a first material buried in a substrate made of a second material, said substrate providing species able to combine with the second material to form the first material, the method comprising the following stages:formation in said substrate, at the level of th

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Bruel Michel,FRX ; Aspar Bernard,FRX, Method for achieving a thin film of solid material and applications of this method.
  2. Mizuno Bunji (Ikoma JPX) Kubota Masafumi (Osaka JPX), Method for removing impurities existing in semiconductor substrate.
  3. Tomozane Mamoru (Scottsdale AZ) Liaw H. Ming (Scottsdale AZ), Method of forming a SIMOX structure.
  4. Bruel Michel (Veurey FRX), Process for the production of thin semiconductor material films.
  5. Henley Francois J. ; Cheung Nathan W., Silicon-on-silicon wafer bonding process using a thin film blister-separation method.
  6. Li Jianming (Upton NY), Type silicon material with enhanced surface mobility.

이 특허를 인용한 특허 (13)

  1. Bruel, Michel, Method and device for fabricating a layer in semiconductor material.
  2. Yokokawa, Isao; Aga, Hiroji; Takano, Kiyotaka; Mitani, Kiyoshi, Method of producing SOI wafer and SOI wafer.
  3. Landru, Didier, Method of producing a layer of cavities.
  4. Letertre, Fabrice, Methods of fabricating semiconductor structures and devices using glass bonding layers, and semiconductor structures and devices formed by such methods.
  5. Letertre, Fabrice, Methods of fabricating semiconductor structures and devices with strained semiconductor material.
  6. Arena, Chantal, Methods of fabricating semiconductor structures or devices using layers of semiconductor material having selected or controlled lattice parameters.
  7. Arena, Chantal, Methods of fabricating semiconductor structures or devices using layers of semiconductor material having selected or controlled lattice parameters.
  8. Sadaka, Mariam; Aspar, Bernard; Blanchard, Chrystelle Lagahe, Methods of forming semiconductor structures including MEMS devices and integrated circuits on opposing sides of substrates, and related structures and devices.
  9. Prelas, Mark A., Micro-scale power source.
  10. Usenko,Alexander, Process for forming a fragile layer inside of a single crystalline substrate.
  11. Choe, Kwang Su; Fogel, Keith E.; Sadana, Devendra K., SOI by oxidation of porous silicon.
  12. Sinha, Nishant; Sandhu, Gurtej S.; Smythe, John, Semiconductor material manufacture.
  13. Letertre, Fabrice, Semiconductor structures and devices including semiconductor material on a non-glassy bonding layer.
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