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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0652632 (2003-08-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 37 인용 특허 : 0 |
An exemplary system and method for providing an integrated photosensing element suitably adapted for use in CMOS imaging applications is disclosed as comprising inter alia: a processed CMOS host wafer ( 460 ) bonded with a monocrystalline, optically active donor wafer ( 300 ); a photosensing element
1. A method for making an integrated CMOS-based imaging component, said method comprising the steps of:providing at least one of a donor SOI wafer and a donor p-type wafer;providing a host CMOS wafer;optionally at least one of growing and at least partially converting said SOI wafer to p-type;growin
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