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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0268769 (2002-10-11) |
우선권정보 | JP-0234443 (2000-08-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 4 |
A thin film transistor having a source region and a drain region having a low melting point region composed of a semiconductor with a melting point lower than that of the semiconductor of the channel region is provided. In the thin film transistor, the dopant concentrations of the low melting point
1. A method of producing a thin film transistor comprising:forming a semiconductor thin film on an insulating substrate, the semiconductor thin film composed of a first semiconductor;patterning the semiconductor thin film by photolithography and etching to form a patterned semiconductor thin film;fo
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