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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0219756 (2002-08-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 3 |
The high-purity aluminum sputter target is at least 99.999 weight percent aluminum and has a grain structure. The grain structure is at least 99 percent recrystallized and has a grain size of less than 200 μm. The method forms high-purity aluminum sputter targets by first cooling a high-purity
1. A high-purity aluminum sputter target, the sputter target being at least 99.999 weight percent aluminum and having a grain structure, the grain structure being at least about 99 percent recrystallized and having a grain size of less than about 200 μm, wherein the sputter target has a sputte
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