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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0116138 (1998-07-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 35 |
A field effect semiconductor device comprising a high permittivity silicate gate dielectric and a method of forming the same are disclosed herein. The device comprises a silicon substrate 20 having a semiconducting channel region 24 formed therein. A metal silicate gate dielectric layer 36 is formed
1. A method of fabricating a field-effect transistor on an integrated circuit, comprising the steps of:providing a single-crystal silicon substrate; forming a metal silicate dielectric layer on the substrate; and forming a conductive transistor gate overlying the metal silicate dielectric layer. 2.
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