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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0439886 (2003-05-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 138 인용 특허 : 1 |
A method and structure for a transistor that includes an insulator and a silicon structure on the insulator. The silicon structure includes a central portion and Fins extending from ends of the central portion. A first gate is positioned on a first side of the central portion of the silicon structur
1. A fin-type field effect transistor (FinFET) comprising:a fin having source and drain regions and a channel region between said source and drain regions; and a strain-inducing layer on only one side of said channel region of said fin. 2. The FinFET in claim 1, wherein said strain-inducing layer st
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