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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0608194 (2003-06-30) |
우선권정보 | KR-0077492 (2002-12-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 59 인용 특허 : 1 |
A semiconductor device and a method for forming the same are disclosed. The semiconductor device includes an epitaxial source/drain junction layer having an insulating film thereunder. The method comprises the step of forming a under-cut under an epitaxial source/drain junction layer so that an insu
1. A method for forming a transistor of a semiconductor device, comprising the steps of:forming a stacked structure of a first epitaxial layer and a second epitaxial layer on a semiconductor substrate; forming a device isolation film of trench type defining an active region, wherein a thickness of t
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