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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0365408 (2003-02-13) |
우선권정보 | JP-0045672 (2002-02-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 1 |
On a substrate provided with a transistor, an electrode pad for product connected electrically to the transistor is formed. A metal bump is provided on a surface of the electrode pad for product. An electrode pad for test to be used specifically for a wafer-level burn-in, which is connected electric
1. A semiconductor device comprising:a transistor formed on a substrate; an electrode pad for product having a metal bump provided on a surface thereof, the electrode pad for product being formed on the substrate and connected electrically to the transistor; and an electrode pad for test to be used
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