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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0441055 (2003-05-20) |
우선권정보 | JP-0299222 (2000-09-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 9 |
A method for annealing an SOI in which two annealing steps are followed by a cooling step. During the second annealing step, the annealing temperature is from 993° C. to the melting point of silicon. During the cooling step, the cooling rate is not less than 0.12° C./sec when a temperature is from 9
1. An SOI annealing method comprising:a first step of annealing an SOI in a reducing atmosphere containing hydrogen; a second step of annealing the SOI at a temperature from 993° C. to a melting point of silicon; and a cooling step of reducing a temperature of the SOI after the second annealing step
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