최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0430811 (2003-05-05) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 121 인용 특허 : 28 |
A method of manufacturing a high performance MOS device and transistor gate stacks comprises forming a gate dielectric layer over a semiconductor substrate; forming a barrier layer over the gate dielectric layer by an ALD type process; and forming a gate electrode layer over the barrier layer. The m
1. A method of manufacturing a gate stack in an integrated circuit comprising:depositing a gate dielectric layer over a semiconductor substrate; depositing a barrier layer over the gate dielectric layer by an atomic layer deposition (ALD) type process essentially in the absence of direct plasma, rea
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.