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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0435286 (2003-05-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 28 |
A semiconductor-on-insulator structure includes a substrate and a buried insulator layer overlying the substrate. A plurality of semiconductor islands overlie the buried insulator layer. The semiconductor islands are isolated from one another by trenches. A plurality of recess resistant regions over
1. A method of forming a semiconductor-on-insulator device, the method comprising:providing a plurality of semiconductor islands overlying portions of an insulator layer; forming recess-resistant regions in portions of the insulator layer not covered by the semiconductor islands such that at least a
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