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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0621028 (2000-07-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 53 |
A novel chemistry, system and application technique reduces contamination of semiconductor wafers and similar substrates and enhances and expedites processing. A stream of liquid chemical is applied to the workpiece surface. Ozone is delivered either into the liquid process stream or into the proces
1. A method for processing a workpiece, comprising the steps of:providing a liquid at a temperature in the range of about 25-150° C. onto a surface of the workpiece; introducing ozone into an environment containing the workpiece at a rate of at least 90 grams per hour; controlling a thickness of the
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