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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0331428 (2002-12-30) |
우선권정보 | KR-0027010 (2002-05-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 11 |
Disclosed is a method of forming a copper wire on a semiconductor device capable of preventing the natural oxidation of copper. The method comprises the steps of: forming an insulation film pattern having vias and trenches on a semiconductor substrate; forming a copper wire by filling up the vias an
1. A method of forming a copper wire on a semiconductor device, comprising the steps of:forming an insulation film pattern having vias and trenches on a semiconductor substrate; forming a copper wire by filling up the vias and the trenches with copper; successively forming a capping layer and a prot
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