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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0630680 (2003-07-31) |
우선권정보 | JP-0081000 (2001-03-21); JP-0108726 (2001-04-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 17 |
A semiconductor device formed by cutting a first substrate and a second substrate bonded together by a spacer, wherein: the spacer is disposed at an end of the first substrate after cutting; the second substrate is a semiconductor wafer formed with a light reception element or elements; and the firs
1. A semiconductor device manufacture method comprising:a step of bonding a first substrate and a second substrate having a light reception element by using a spacer; and a step of cutting the first and second substrates, wherein said cutting step cuts the first substrate at a position where the spa
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