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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | H01L-029/40 H01L-021/94 |
미국특허분류(USC) | 257/761; 257/779; 257/781; 257/765; 438/612; 438/613 |
출원번호 | US-0816177 (2001-03-26) |
우선권정보 | JP-0086383 (2000-03-27) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 22 |
There is provided a semiconductor device comprising a Cu film provided above a main surface of a semiconductor substrate and used as a wiring, an intermediate layer formed at least on the Cu film, and an Al film formed on the intermediate layer and used as a pad, wherein the intermediate layer comprises a refractory metal nitride film and a refractory metal film formed on the refractory metal nitride film.
1. A semiconductor device comprising:a Cu film provided above a main surface of a semiconductor substrate and used as a wiring; an intermediate layer formed at least on the Cu film, the intermediate layer comprising a TaN film formed on the Cu film and a Ta film formed on the TaN film; an Al film formed on the Ta film and used as a pad, the Al film having a horizontally extending portion under which the Cu film is not formed; and a conductive connection member connected to the Al film only at the horizontally extending portion. 2. The semiconductor devic...