$\require{mediawiki-texvc}$
  • 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
  • 검색연산자
검색도움말
검색연산자 기능 검색시 예
() 우선순위가 가장 높은 연산자 예1) (나노 (기계 | machine))
공백 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 예1) (나노 기계)
예2) 나노 장영실
| 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 예1) (줄기세포 | 면역)
예2) 줄기세포 | 장영실
! NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 예1) (황금 !백금)
예2) !image
* 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 예) semi*
"" 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 예) "Transform and Quantization"

통합검색

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

특허 상세정보

Semiconductor device

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-029/40    H01L-021/94   
미국특허분류(USC) 257/761; 257/779; 257/781; 257/765; 438/612; 438/613
출원번호 US-0816177 (2001-03-26)
우선권정보 JP-0086383 (2000-03-27)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Finnegan, Henderson, Farabow, Garrett &
인용정보 피인용 횟수 : 7  인용 특허 : 22
초록

There is provided a semiconductor device comprising a Cu film provided above a main surface of a semiconductor substrate and used as a wiring, an intermediate layer formed at least on the Cu film, and an Al film formed on the intermediate layer and used as a pad, wherein the intermediate layer comprises a refractory metal nitride film and a refractory metal film formed on the refractory metal nitride film.

대표
청구항

1. A semiconductor device comprising:a Cu film provided above a main surface of a semiconductor substrate and used as a wiring; an intermediate layer formed at least on the Cu film, the intermediate layer comprising a TaN film formed on the Cu film and a Ta film formed on the TaN film; an Al film formed on the Ta film and used as a pad, the Al film having a horizontally extending portion under which the Cu film is not formed; and a conductive connection member connected to the Al film only at the horizontally extending portion. 2. The semiconductor devic...

이 특허에 인용된 특허 (22)

  1. Mei Sheng Zhou SG; Sangki Hong SG; Simon Chooi SG. Aluminum and copper bimetallic bond pad scheme for copper damascene interconnects. USP2002046376353.
  2. Breedis John F. (Trumbull CT) Fister Julius C. (Hamden CT). Copper alloys for suppressing growth of Cu-Al intermetallic compounds. USP1985024498121.
  3. Takeshi Nogami ; Susan H. Chen. Cu-A1 combined interconnect system. USP2002026346745.
  4. Besser Paul R. ; Iacoponi John A. ; Alvis Roger. Deposition of a conductor in a via hole or trench. USP1999065918149.
  5. Galloway Terry R.. Extended bond pads with a plurality of perforations. USP1998075783868.
  6. Kloen Hendrik K.,NLX ; Huiskamp Lodewijk P.,NLX. Integrated circuit device. USP2001056229221.
  7. Li Jian ; Mu Xiao-Chun ; Balakrishnan Sridhar. Method and an apparatus for forming an under bump metallization structure. USP2001116312830.
  8. Lin Yih-Shung (Plano TX) Liou Fu-Tai (Carrollton TX). Method for forming an aluminum contact through an insulating layer. USP1997085658828.
  9. Joo Young-Chang ; Brown Dirk ; Chan Simon S.. Method for forming conformal barrier layers. USP2000096124203.
  10. Jun Young Kwon,KRX. Method for forming interconnection of a semiconductor device. USP1999045897369.
  11. Liu Chung-Shi,TWX ; Yu Chen-Hua,TWX. Method for making metal plug contacts and metal lines in an insulating layer by chemical/mechanical polishing that reduces polishing-induced damage. USP2000116150272.
  12. Ramsey Thomas H. (Rowlett TX) Alfaro Rafael C. (Carrollton TX). Method for obtaining metallurgical stability in integrated circuit conductive bonds. USP1995105455195.
  13. Chen Sheng-Hsiung,TWX. Method of improving copper pad adhesion. USP2001026191023.
  14. Sheng-Hsiung Chen TW; Fan Keng Yang TW. Method of improving pad metal adhesion. USP2002026350667.
  15. Costrini Gregory ; Goldblatt Ronald Dean ; Heidenreich ; III John Edward ; McDevitt Thomas Leddy. Method/structure for creating aluminum wirebound pad on copper BEOL. USP2001026187680.
  16. Valery Dubin. Methods for making interconnects and diffusion barriers in integrated circuits. USP2002036359328.
  17. Chen, Sheng-Hsiung; Chen, Shun Long; Lin, Hungtse. Modified pad for copper/low-k. USP2003056560862.
  18. Edelstein Daniel Charles ; McGahay Vincent ; Nye ; III Henry A. ; Ottey Brian George Reid ; Price William H.. Robust interconnect structure. USP2000106133136.
  19. Homma, Soichi; Miyata, Masahiro; Ezawa, Hirokazu; Yoshioka, Junichiro; Inoue, Hiroaki; Tokuoka, Tsuyoshi. Semiconductor element and fabricating method thereof. USP2003056569752.
  20. Lopatin Sergey D. ; Iacoponi John A.. Semiconductor metalization barrier and manufacturing method therefor. USP2001116320263.
  21. Rathore Hazara S. ; Dalal Hormazdyar M. ; McLaughlin Paul S. ; Nguyen Du B. ; Smith Richard G. ; Swinton Alexander J. ; Wachnik Richard A.. Sub-quarter-micron copper interconnections with improved electromigration resistance and reduced defect sensitivity. USP2001076258710.
  22. Ding Peijun ; Chiang Tony Ping-Chen. Tantalum-containing barrier layers for copper. USP2000056057237.