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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0912844 (2001-07-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 26 인용 특허 : 187 |
A high pressure chamber comprises a chamber housing, a platen, and a mechanical drive mechanism. The chamber housing comprises a first sealing surface. The platen comprises a region for holding the semiconductor substrate and a second sealing surface. The mechanical drive mechanism couples the plate
1. A high pressure chamber for processing of a semiconductor substrate comprising:a. a chamber housing comprising a first sealing surface; b. a spacer containing a plurality of injection nozzles, the spacer sealing to the first sealing surface; c. a platen comprising a region for holding the semicon
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