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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0155216 (2002-05-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 41 인용 특허 : 214 |
A method for programming and erasing a memory array includes the step of adapting programming or erase pulses to the current state of the memory array. In one embodiment, the step of adapting includes the steps of determining the voltage level of the programming pulse used to program a fast bit of t
1. A method for erasing a memory array comprising:adapting a parameter of an erase pulse as a function of the difference between the current threshold voltage of a cell of said memory array and an erase threshold value; and applying the erase pulse to a terminal of a cell of said array selected from
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