최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0384859 (2003-03-10) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 47 |
A semiconductor-on-insulator structure includes a substrate and a buried insulator stack overlying the substrate. The buried insulator stack includes a first dielectric layer and a recess-resistant layer overlying the first dielectric layer. A second dielectric layer can overlie the recess-resistant
1. A method of fabricating a semiconductor-on-insulator chip, comprising the steps of:providing a donor wafer substrate; implanting ions into said donor wafer substrate to form an implanted layer and a semiconductor film overlaying said implanted layer; forming a recess-resistant layer of silicon ni
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.