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[미국특허] Semiconductor device with novel film composition 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-023/48
출원번호 US-0874369 (2004-06-24)
발명자 / 주소
  • Sandhu, Gurtej
  • Derderian, Garo J.
출원인 / 주소
  • Micron Technology, Inc.
대리인 / 주소
    Dickstein Shapiro Morin &
인용정보 피인용 횟수 : 4  인용 특허 : 23

초록 ▼

A method of depositing a thin film on a substrate in a semiconductor device using Atomic Layer Deposition (ALD) process parameters exposes the substrate to at least one adherent material in a quantity sufficient for the material to adsorb onto the substrate and thereby form an initiation layer. The

대표청구항 ▼

1. A semiconductor device, comprising:a substrate; and a circuit structure supported by said substrate, wherein said circuit structure comprising a film wherein said film comprises an adherent material layer and a reaction material layer, said reaction material layer being chemically bonded to said

이 특허에 인용된 특허 (23) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Sakuma Yoshiki (Kawasaki JPX) Ozeki Masashi (Kawasaki JPX) Ohtuka Nobuyuki (Kawasaki JPX) Kodama Kunihiko (Takarazuka JPX), Atomic layer epitaxy of compound semiconductor.
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  2. Konecni Anthony J. ; Dixit Girish Anant, CVD tin barrier layer for reduced electromigration of aluminum plugs.
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  3. Vaartstra Brian A., Difunctional amino precursors for the deposition of films comprising metals.
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  4. Lee Woo-Hyeong ; Manchanda Lalita, Electronic components with doped metal oxide dielectric materials and a process for making electronic components with do.
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  5. Harshfield Steven T. (Emmett ID), Hemispherical grained silicon on refractory metal nitride.
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  6. Bozovic Ivan (Palo Alto CA) Eckstein James N. (Palo Alto CA) Klausmeier-Brown Martin E. (San Jose CA) Virshup Gary F. (Cupertino CA), High-temperature Josephson junction and method.
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  7. Ber Karl W. (Kennett Square PA), Inverse delta-doping for improved open circuit voltage of solar cells or photo diodes.
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  8. Noguchi Hiroyasu,JPX ; Nakano Kazushi,JPX ; Ishibashi Akira,JPX ; Toda Atsushi,JPX ; Taniguchi Satoshi,JPX ; Hino Tomonori,JPX ; Kato Eisaku,JPX, Luminescent semiconductor device with antidiffusion layer on active layer surface.
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  9. Zhao Joe W. ; Catabay Wilbur G., Metal-filled via/contact opening with thin barrier layers in integrated circuit structure for fast response, and process.
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  10. Hasegawa Tsuyoshi,JPX ; Hosoki Shigeyuki,JPX ; Kohno Makiko,JPX ; Ichikawa Masakazu,JPX ; Nakahara Hitoshi,JPX ; Usagawa Toshiyuki,JPX, Method and apparatus for forming microstructure body.
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  11. Kee Jeung Lee KR; Kwang Chul Joo KR, Method for fabricating capacitors of semiconductor device.
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  12. Matsumoto Tomotaka (Kawasaki JPX) Inoue Jun (Kawasaki JPX) Ichimura Teruhiko (Kawasaki JPX) Murata Yuji (Kawasaki JPX) Watanabe Junichi (Kawasaki JPX) Nagahiro Yoshio (Kawasaki JPX) Hodate Mari (Kawa, Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor.
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  13. Kang Sang-Bom,KRX ; Lee Sang-In,KRX, Method of and apparatus for forming a metal interconnection in the contact hole of a semiconductor device.
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  14. Ueno Kazuyoshi (Tokyo JPX), Method of fabricating a semiconductor device with a capacitor structure having increased capacitance.
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  15. Lothian James Robert ; Ren Fan, Method of forming a T-shaped gate.
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  16. Harshfield Steven T., Method of forming a hemispherical grained silicon on refractory metal nitride.
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  17. Doan Trung T. ; Sandhu Gurtej Singh ; Prall Kirk ; Sharan Sujit, Method of forming titanium silicide and titanium by chemical vapor deposition.
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  18. Sheng-Hsiung Chen TW; Fan Keng Yang TW, Method of improving pad metal adhesion.
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  19. Iyer Ravi, Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organometallic precursor compounds.
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  20. Danek Michal ; Levy Karl B., Multilayer diffusion barriers.
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  21. Comizzoli Robert Benedict ; Dautartas Mindaugas Fernand ; Osenbach John William, Process for passivating semiconductor laser structures with severe steps in surface topography.
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  22. Sandhu Gurtej S. (Boise ID) Doan Trung T. (Boise ID), Pulsed plasma enhanced CVD of metal silicide conductive films such as TiSi2.
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  23. Gadgil Prasad N. ; Seidel Thomas E., Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition.
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이 특허를 인용한 특허 (4) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Gatineau, Julien; Ko, Changhee, Deposition of group IV metal-containing films at high temperature.
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  2. Quick, Timothy A.; Marsh, Eugene P.; Uhlenbrock, Stefan; Carter, Chet E.; Sills, Scott E., Memory cells and methods of fabrication.
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  3. Quick, Timothy A.; Marsh, Eugene P.; Uhlenbrock, Stefan; Carter, Chet E.; Sills, Scott E., Memory cells, semiconductor devices including such cells, and methods of fabrication.
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  4. Ko, Changhee; Gatineau, Julien; Lansalot-Matras, Clément; Lieffrig, Julien; Ishii, Hana, Titanium-containing film forming compositions for vapor deposition of titanium-containing films.
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