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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0718137 (2003-11-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 86 인용 특허 : 18 |
Apparatus and method for making a multi-layered storage structure includes forming a device layer on a single-crystal wafer, cleaving the device layer from the wafer, repeating the forming and cleaving to provide a plurality of cleaved device layers, and bonding the cleaved device layers together to
1. A method of making a multi-layered storage structure, comprising:forming a device layer on a single-crystal wafer;cleaving the device layer from the wafer;repeating the forming and cleaving to provide a plurality of cleaved device layers;bonding the cleaved device layers together to form the mult
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