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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0011351 (2001-12-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 73 인용 특허 : 20 |
The present invention provides a device design and method for forming the same that results in Fin Field Effect Transistors having different gains without negatively impacting device density. The present invention forms relatively low gain FinFET transistors in a low carrier mobility plane and relat
1. A semiconductor structure comprising:a fin body, wherein the fin body has a first portion with a sidewall on a first plane that provides a first carrier mobility, and wherein the fin body has a second portion with a sidewall on a second plane that provides a second carrier mobility;a transfer tra
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