최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0688424 (2003-10-16) |
발명자 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 26 인용 특허 : 8 |
An electron beam device wherein a low temperature gaseous plasma is generated in a chamber divided by two parallel wire grids. A semiconductor wafer serves as a cathode drawing ions from the plasma to impinge on the wafer, generating secondary electrons that are accelerated toward an anode on the op
1. A wide area electron beam device comprising,a chamber having a partially evacuated interior enclosed by walls, including first and second end walls and a side wall structure;a semiconductor slice high voltage cathode near the first end wall of the chamber;a conductive plate anode near the second
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.