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Longitudinal cathode expansion in an ion source 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01J-007/24
  • H01J-007/00
출원번호 US-0896745 (2004-07-21)
발명자 / 주소
  • Siegfried,Daniel E.
  • Burtner,David Matthew
  • Townsend,Scott A.
  • Keem,John
  • Alexeyev,Valery
  • Zelenkov,Vsevolod
  • Krivoruchko,Mark
출원인 / 주소
  • Veeco Instruments, Inc.
대리인 / 주소
    Hensley Kim &
인용정보 피인용 횟수 : 3  인용 특허 : 21

초록

An ion source design and manufacturing techniques allows longitudinal cathode expansion along the length of the anode layer source (ALS). Cathode covers are used to secure the cathode plates to the source body assembly of an ion source. The cathode covers allow the cathode plate to expand along the

대표청구항

What is claimed is: 1. An ion source having a source body, the ion source comprising: a cathode plate having a working edge positioned along a side of a cathode-cathode gap; and a cathode cover securing the cathode plate against the source body. 2. The ion source of claim 1 wherein the ion sourc

이 특허에 인용된 특허 (21)

  1. Kaufman Harold R., Closed drift ion source with improved magnetic field.
  2. Rudolph Hugo Petrmichl, Cold cathode ion beam deposition apparatus with segregated gas flow.
  3. Maishev Yuri,RUX ; Ritter James ; Velikov Leonid ; Shkolnik Alexander, Cold-cathode ion source with a controlled position of ion beam.
  4. Maishev Yuri,RUX ; Ritter James ; Terentiev Yuri,RUX ; Velikov Leonid, Cold-cathode ion source with propagation of ions in the electron drift plane.
  5. Maishev Yuri,RUX ; Ritter James ; Velikov Leonid ; Shkolnik Alexander, Combined ion-source and target-sputtering magnetron and a method for sputtering conductive and nonconductive materials.
  6. Kaufman, Harold R.; Kahn, James R.; Robinson, Raymond S.; Zhurin, Viacheslav V., Hall-current ion source.
  7. Veerasamy, Vijayen S.; Petrmichl, Rudolph Hugo; Luten, Henry A., Ion beam source with coated electrode(s).
  8. Valentian Dominique,FRX, Ion source with closed electron drift.
  9. Viacheslav V. Zhurin ; Harold R. Kaufman ; James R. Kahn ; Kirk A. Thompson, Ion-assisted magnetron deposition.
  10. Maishev Yuri,RUX ; Ritter James ; Velikov Leonid ; Shkolnik Alexander, Ion-beam source with channeling sputterable targets and a method for channeled sputtering.
  11. Maishev Yuri,RUX ; Ritter James ; Velikov Leonid ; Shkolnik Alexander, Ion-beam source with uniform distribution of ion-current density on the surface of an object being treated.
  12. Maishev Yuri,RUX ; Ritter James ; Velikov Leonid ; Shkolnik Alexander, Ion-beam source with virtual anode.
  13. Maishev Yuri,RUX ; Ritter James ; Velikov Leonid, Method for combined treatment of an object with an ion beam and a magnetron plasma with a combined magnetron-plasma and ion-beam source.
  14. Veerasamy, Vijayen S.; Petrmichl, Rudolph Hugo, Method of ion beam milling a glass substrate prior to depositing a coating system thereon, and corresponding system for carrying out the same.
  15. Vijayen S. Veerasamy ; Rudolph Hugo Petrmichl, Method of ion beam milling substrate prior to depositing diamond like carbon layer thereon.
  16. Kunio Sekiya JP; Hiroshi Sekiya JP, Method of making quality crepe paper.
  17. Thomsen, Scott V.; Petrmichl, Rudolph Hugo; Veerasamy, Vijayen S.; Longobardo, Anthony V.; Luten, Henry A.; Hall, Jr., David R., Method of manufacturing window using ion beam milling of glass substrate(s).
  18. Maishev Yuri,RUX ; Ritter James ; Terentiev Yuri,RUX ; Velikov Leonid ; Shkolnik Alexander, Multiple-beam ion-beam assembly.
  19. Maishev Yuri,RUX ; Ritter James ; Velikov Leonid ; Shkolnik Alexander, Multiple-cell source of uniform plasma.
  20. Maishev Yuri,RUX ; Ritter James ; Velikov Leonid, Universal cold-cathode type ion source with closed-loop electron drifting and adjustable ion-emitting slit.
  21. Maishev Yuri,RUX ; Ritter James ; Velikuv Leonid, Universal cold-cathode type ion source with closed-loop electron drifting and adjustable ionization gap.

이 특허를 인용한 특허 (3)

  1. Gutkin, Michael; Bizyukov, Alexander; Sleptsov, Vladimir; Bizyukov, Ivan; Sereda, Konstantin, Focused anode layer ion source with converging and charge compensated beam (falcon).
  2. Chu, Paul K.; Tang, Deli; Pu, Shihao; Tong, Honghui; Chen, Qingchuan, Ion source with upstream inner magnetic pole piece.
  3. Kelley,Christopher L., Temperature control assembly for use in etching processes.
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