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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0197940 (2002-07-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 76 인용 특허 : 206 |
Embodiments of the present invention relate to an apparatus and method of plasma assisted deposition by generation of a plasma adjacent a processing region. One embodiment of the apparatus comprises a substrate processing chamber including a top shower plate, a power source coupled to the top shower
What is claimed is: 1. A substrate processing chamber, comprising: a top shower plate, wherein the top shower plate comprises holes in communication with a top surface and a bottom surface of the top shower plate; a bottom shower plate, wherein the bottom shower plate comprises columns having colu
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