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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0040000 (2005-01-24) |
우선권정보 | JP-2002-045672(2002-02-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 1 |
On a substrate provided with a transistor, an electrode pad for product connected electrically to the transistor is formed. A metal bump is provided on a surface of the electrode pad for product. An electrode pad for test to be used specifically for a wafer-level burn-in, which is connected electric
What is claimed is: 1. A wafer-level burn-in method for performing a burn-in with respect to a semiconductor wafer provided with a plurality of semiconductor integrated circuit chips each having a transistor, an electrode for product connected electrically to the transistor and having a metal bump
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