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[미국특허] PVD method and PVD apparatus 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-014/35
출원번호 US-0620570 (2003-07-16)
우선권정보 DE-102 32 179(2002-07-16)
발명자 / 주소
  • Sabisch,Winfried
  • Kersch,Alfred
  • Schulze Icking,Georg
  • Witke,Thomas
  • Zedlitz,Ralf
출원인 / 주소
  • Infineon Technologies AG
인용정보 피인용 횟수 : 2  인용 특허 : 4

초록

A PVD method and a PVD apparatus use a rotating magnetic field in order to increase the yield. The magnetic field is provided such that it essentially vanishes, at least in a time average, outside a rotation axis of the magnetic field in sectors of the target region of the PVD apparatus. In this man

대표청구항

We claim: 1. A method for physical vapor deposition, the method which comprises: providing a target region and a substrate region disposed in a process region; providing an electric field between the target region and the substrate region and using the electric field for partially ionizing process

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Lai Kwok Fai ; Hartsough Larry Dowd ; Nordquist Andrew L. ; Ashtiani Kaihan Abidi ; Levy Karl B. ; Biberger Maximilian A., Apparatus and method for controlling erosion profile in hollow cathode magnetron sputter source.
  2. Kaihan A. Ashtiani ; Larry D. Hartsough ; Richard S. Hill ; Karl B. Levy ; Robert M. Martinson, Control of erosion profile and process characteristics in magnetron sputtering by geometrical shaping of the sputtering target.
  3. Kiyota Tetsuji,JPX, Magnetron sputtering apparatus.
  4. Yamanishi Hitoshi (Higashiosaka JPX) Aokura Isamu (Osaka JPX) Suemitsu Toshiyuki (Mino JPX) Takisawa Takahiro (Moriguchi JPX), Sputtering electrode.

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. Wen, Chia-Ling, Method and a system for operating a physical vapor deposition process.
  2. Wen,Chia Ling, Method and system for operating a physical vapor deposition process.
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