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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0886251 (2004-07-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 36 |
The present invention is directed to the use of a high vapor pressure liquid prior to or simultaneous with cryogenic cleaning to remove contaminants from the surface of substrates requiring precision cleaning such as semiconductors, metal films, or dielectric films. A liquid suitable for use in the
The invention claimed is: 1. A method for removing at least one contaminant from a substrate, comprising: heating the substrate; applying cryogenic material to the heated substrate; and applying at least one liquid to react with the at least one contaminant on the heated substrate. 2. The method
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