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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0088072 (2005-03-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 47 인용 특허 : 161 |
A method of forming a tantalum nitride layer for integrated circuit fabrication is disclosed. In one embodiment, the method includes forming a tantalum nitride layer by chemisorbing a tantalum precursor and a nitrogen precursor on a substrate disposed in a process chamber. A nitrogen concentration o
What is claimed is: 1. A method of film deposition for integrated circuit fabrication, comprising: forming a tantalum nitride layer by sequentially chemisorbing a tantalum precursor and a nitrogen precursor on a substrate disposed in a process chamber; reducing a nitrogen concentration of the tanta
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