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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0754966 (2004-01-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 62 인용 특허 : 4 |
A transistor includes a semiconductor channel disposed nearby a gate and in an electrical path between a source and a drain, wherein the channel and at least one of the source or the drain are separated by an interface layer so as to form a channel-interface layer-source/drain junction in which a Fe
What is claimed is: 1. A method comprising: forming an interface layer on one or more surfaces of a semiconductor channel of a transistor, the semiconductor channel formed by removing a portion of a semiconductor substrate that is not protected by a mask created at least in part by a gate structure
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