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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0858766 (2004-06-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 97 인용 특허 : 4 |
A method of forming a conductor structure on a surface of a wafer is provided. The surface of the wafer includes cavities separated by field regions. Initially, a barrier layer is deposited on the surface that includes cavities separated by field regions. A thin seed layer with a substantially unifo
We claim: 1. A method of forming a conductor structure on a surface of a wafer, the surface including cavities separated by field regions, the method comprising: depositing a seed layer with a substantially uniform thickness on the field regions and in the cavities of the surface having a barrier l
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