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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0847832 (2004-05-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 117 |
An improved cell layout for a C3MOS circuit with inductive broadbanding positions the inductor at a distance from the active region to improve isolation and aligns the edges of the resistor, inductor, and transistor regions near the common edge of adjacent cells to decrease the length of the cell-to
What is claimed is: 1. A circuit layout implemented with a semiconductor substrate comprising: at least one spiral inductor comprising a first edge defined on the semiconductor substrate; at least one resistor comprising a second edge defined on the semiconductor substrate; and at least one trans
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