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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0991919 (2004-11-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 48 인용 특허 : 6 |
Process for forming a fragile layer inside of a single crystalline substrate near one of the substrate surfaces. The fragile layer is created by collecting hydrogen in high concentration at a desired depth. The hydrogen layer is collected on a seed layer. The seed layer is formed by ion implantation
I claim: 1. A method comprising: (a) providing a single crystalline substrate (b) forming a buried trapping layer inside of said substrate by ion implanting (c) saturating said trapping layer with hydrogen CHARACTERIZED IN THAT (d) said trapping layer is confined after said ion implanting (e) said
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