[특허]Process of forming socket contacts

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H05K-003/02 H05K-003/10
출원번호	US-0652585 (2000-08-31)
발명자 / 주소	Akram,Salman Farnworth,Warren M.
출원인 / 주소	Micron Technology, Inc.
대리인 / 주소	TraskBritt
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 38

초록

A socket contact formation process comprises forming a contact head from a conductive material, forming a contact body from a semiconductive material configured to be electrically conductive; and joining the contact head and the contact body.

대표청구항 ▼

What is claimed is: 1. A socket contact formation process for forming a plurality of socket contacts in a substrate, the plurality of socket contacts having a spacing therebetween for mating with contacts of an IC chip for use in the testing thereof, comprising: forming a contact head from a conductive material as at least one member of a socket contact having at least two members forming portions thereof, the contact head for contacting one of the contacts of the IC chip for use in the testing thereof; forming a contact body from a doped semiconductive material configured to be electrically conductive as a member of a socket contact having at least two members forming portions thereof, the contact body formed from a doped semiconductive material for use in the testing of the IC chip; and joining the contact head and the contact body forming a socket contact having at least two members forming portions thereof, the joined contact head and the contact body having at least a portion of the contact head contacting at least a portion of the contact of the IC chip during the testing thereof. 2. The process in claim 1, wherein: forming the contact head comprises stamping a metal element as at least one member of a socket contact having at least two members forming portions thereof; forming the contact body comprises etching silicon having at least a portion thereof doped to be electrically conductive as at least one member of a socket contact having at least two members forming portions thereof; and joining the contact head and the contact body further comprises adhering the contact head onto the contact body forming a socket contact having at least two members forming portions thereof. 3. The process in claim 1, wherein joining the contact head and the contact body further comprises depositing a metal over a doped silicon surface for a socket contact having at least two members forming portions thereof.

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