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[미국특허] Plasma processing system and apparatus and a sample processing method 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/00
  • C23C-016/00
  • C23C-014/00
출원번호 US-0732285 (2003-12-11)
우선권정보 JP-2000-048933(2000-02-21)
발명자 / 주소
  • Masuda,Toshio
  • Usui,Tatehito
  • Suehiro,Mitsuru
  • Kanekiyo,Hiroshi
  • Yamamoto,Hideyuki
  • Takahashi,Kazue
  • Enami,Hiromichi
출원인 / 주소
  • Hitachi, Ltd.
대리인 / 주소
    Antonelli, Terry, Stout & Kraus, LLP
인용정보 피인용 횟수 : 2  인용 특허 : 12

초록

A plasma processing apparatus having a sample stage disposed inside a vacuum chamber and a plate member disposed opposing to a sample which is placed on the sample stage and supplied with electric power. The sample is processed using a plasma generated between the sample stage and the plate member a

대표청구항

What is claimed is: 1. A plasma processing apparatus for processing a sample disposed inside a vacuum chamber using a plasma generated therein comprising: an electrically conductive member disposed above said sample which is disposed inside said vacuum chamber, said electrically conductive member b

이 특허에 인용된 특허 (12) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Eriguchi Koji,JPX ; Yamada Takayuki,JPX ; Okuyama Masanori,JPX, Apparatus and method for optical evaluation, apparatus and method for manufacturing semiconductor device, method of controlling apparatus for manufacturing semiconductor device, and semiconductor dev.
  2. Michael N. Grimbergen ; Xue-Yu Qian, Chamber having improved process monitoring window.
  3. Ichimura Tsutomu (Dai 2 Green Haitsu-Zuiho 301 ; 1-1-20 ; Mukaiyama Taihaku-ku ; Sendai-shi ; Miyagi 982 JPX) Inaba Fumio (1-13-1 ; Yagiyama-Minami Taihaku-ku ; Sendai-shi ; Miyagi 982 JPX) Toida Mas, Highly directional optical system and optical sectional image forming apparatus employing the same.
  4. Katsumata Ryota,JPX ; Hayasaka Nobuo,JPX ; Yasuda Naoki,JPX ; Miyajima Hideshi,JPX ; Higashikawa Iwao,JPX ; Hotta Masaki,JPX, Measurement system and measurement method.
  5. Nulty James E. (San Jose CA), Method and apparatus for end point detection.
  6. Auda Bernard (Montlhery FRX), Method and apparatus for in-situ and on-line monitoring of trench formation process.
  7. Moslehi Mehrdad M., Method for multi-zone high-density inductively-coupled plasma generation.
  8. Imatake Mitsuko,JPX ; Sasaki Ichiro,JPX ; Otsubo Toru,JPX ; Tamura Hitoshi,JPX ; Kamimura Takashi,JPX, Plasma processing apparatus and processing method.
  9. Uesugi Fumihiko,JPX ; Ito Natsuko,JPX, Processing apparatus for fabricating LSI with protected beam damper.
  10. Herchen Harald ; Brown William ; Nzeadibe Ihi ; Kujaneck Dan, Semiconductor process chamber and processing method.
  11. Urata Kazuo (Atsugi JPX) Hirose Naoki (Atsugi JPX) Hayashi Shigenori (Atsugi JPX), Thin film manufacturing system.
  12. Shimizu Masahiro,JPX, Vacuum process system.

이 특허를 인용한 특허 (2) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Yokogawa, Ken'etsu; Miyake, Masatoshi, Heat treatment apparatus that performs defect repair annealing.
  2. Davis, Matthew F.; Lian, Lei; Uo, Yasuhiro; Willwerth, Michael D.; Netchitaliouk, Andrei Ivanovich, Method and apparatus for performing limited area spectral analysis.

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