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Magnetic random access memory and method of fabricating thereof 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/66
  • H01L-021/00
  • H01L-021/961
출원번호 US-0604533 (2003-07-29)
발명자 / 주소
  • Nuetzel,Joachim
  • Ning,Xian Jay
  • Wille,William C.
출원인 / 주소
  • International Business Machines Corporation
대리인 / 주소
    Cantor Colburn LLP
인용정보 피인용 횟수 : 12  인용 특허 : 20

초록

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대표청구항

대표청구항이 없습니다.

이 특허에 인용된 특허 (20)

  1. Parkin Stuart Stephen Papworth, Hard/soft magnetic tunnel junction device with stable hard ferromagnetic layer.
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  2. Mark Durlam ; Mark DeHerrera ; Eugene Chen ; Saied Tehrani ; Gloria Kerszykowski ; Peter K. Naji ; Jon Slaughter ; Kelly W. Kyler, High density MRAM cell array.
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  3. Mark E. Tuttle, Keepers for MRAM electrodes.
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  4. David William Abraham ; Philip Edward Batson ; William Joseph Gallagher ; Stuart Parkin ; John Slonczewski ; Philip Louis Trouilloud, Limiting magnetoresistive electrical interaction to a preferred portion of a magnetic region in magnetic devices.
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  5. Hosotani, Keiji, Magnetic memory device having magnetic shield layer, and manufacturing method thereof.
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  6. Masashi Michijima JP; Hidekazu Hayashi JP; Ryoji Minakata JP, Magnetic memory element, magnetic memory and manufacturing method of magnetic memory.
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  7. Chen Eugene Y. ; Slaughter Jon M., Magnetic random access memory and fabricating method thereof.
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  8. Tehrani Saied N. ; Zhu Xiaodong T. ; Chen Eugene ; Goronkin Herbert, Magnetic random access memory having stacked memory cells and fabrication method therefor.
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  9. Park, Wan-jun; Lee, Taek-dong; Park, Byeong-kook; Kim, Tae-wan; Song, I-hun; Park, Sang-jin, Magneto-resistive random access memory.
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  10. Nuetzel, Joachim; Arndt, Christian; Costrini, Greg; Gaidis, Michael C.; Ning, Xian Jay, Maskless array protection process flow for forming interconnect vias in magnetic random access memory devices.
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  11. Siegfried Schwarzl DE; Lothar Risch DE, Memory cell configuration.
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  12. Parker, Randall Scott; Wagner, John Jeffery; Mikelson, Hans Peter, Method for interconnecting magnetoresistive memory bits.
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  13. Tehrani Saied N. ; Durlam Mark ; Goronkin Herbert, Method of fabricating spaced apart submicron magnetic memory cells.
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  14. Hurst Allan T. ; Sather Jeffrey S. ; Witcraft William F. ; Yue Cheisan J., Method of manufacturing a high density magnetic memory device.
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  15. Hineman, Max; Signorini, Karen; Howard, Brad J., Protective layers for MRAM devices.
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  16. Pohm Arthur V., Spin dependent tunneling memory.
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  17. Lee, Gill Yong, Subtractive stud formation for MRAM manufacturing.
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  18. Gupta, Arunava; Low, Kia-Seng, Two-step magnetic tunnel junction stack deposition.
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  19. Gary A. Prinz, Ultra high density, non-volatile ferromagnetic random access memory.
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  20. Dubin Valery M. (Cupertino CA) Schacham-Diamand Yosi (Ithaca NY) Zhao Bin (Irvine CA) Vasudev Prahalad K. (Austin TX) Ting Chiu H. (Saratoga CA), Use of cobalt tungsten phosphide as a barrier material for copper metallization.
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이 특허를 인용한 특허 (12)

  1. Wang, Jianping, Current-confined effect of magnetic nano-current-channel (NCC) for magnetic random access memory (MRAM).
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  2. Ranjan, Rajiv Yadav; Assar, Mahmud; Keshtbod, Parviz, High capacity low cost multi-state magnetic memory.
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  3. Annunziata, Anthony J.; Kilaru, Rohit, Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire.
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  4. Ranjan, Rajiv Yadav; Keshtbod, Parviz; Malmhall, Roger Klas, Low resistance high-TMR magnetic tunnel junction and process for fabrication thereof.
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  5. Keshtbod, Parviz, Magnetic memory sensing circuit.
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  6. Machkaoutsan, Vladimir; Gottwald, Matthias Georg; Badaroglu, Mustafa; Kan, Jimmy; Lee, Kangho; Lu, Yu; Park, Chando, Magnetic tunnel junction (MTJ) device array.
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  7. Machkaoutsan, Vladimir; Gottwald, Matthias Georg; Badaroglu, Mustafa; Kan, Jimmy; Lee, Kangho; Lu, Yu; Park, Chando, Magnetic tunnel junction (MTJ) device array.
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  8. Malmhall, Roger Klas; Satoh, Kimihiro; Zhang, Jing; Keshtbod, Parviz; Ranjan, Rajiv Yadav, Method for manufacturing high density non-volatile magnetic memory.
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  9. Ranjan, Rajiv Yadav; Keshtbod, Parviz; Malmhall, Roger Klas, Method for manufacturing non-volatile magnetic memory.
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  10. Ranjan, Rajiv Yadav; Keshtbod, Parviz, Non-volatile magnetic memory with low switching current and high thermal stability.
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  11. Lee, Kilho; Han, Shinhee, Semiconductor magnetic memory device and method for manufacturing the same.
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  12. Engelmann, Sebastian U.; Holmes, Steve J.; Lin, Qinghuang; Marchack, Nathan P.; O'Sullivan, Eugene J., Techniques for forming contacts for active BEOL.
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