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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0504518 (2003-02-14) |
등록번호 | US-7255804 (2007-08-14) |
국제출원번호 | PCT/US03/004682 (2003-02-14) |
§371/§102 date | 20040813 (20040813) |
국제공개번호 | WO03/071587 (2003-08-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 10 |
A process for making photonic crystal circuit and a photonic crystal circuit consisting of regularly-distributed holes in a high index dielectric material, and controllably-placed defects within this lattice, creating waveguides, cavities, etc. for photonic devices. The process is based upon the dis
What is claimed is: 1. A process for making a photonic crystal circuit, comprising: depositing an ultraviolet positive, electron beam negative photoresist layer on a substrate; patterning defects into portions of the photoresist layer by exposing the portions of the photoresist layer to an electron
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