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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0741824 (2003-12-19) |
등록번호 | US-7262133 (2007-08-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 226 |
A method for depositing a cap layer over a metal-containing interconnect is provided. In one aspect, the cap layer is formed by introducing a pulse of a metal-containing compound followed by a pulse of a nitrogen-containing compound. In one aspect, the cap layer comprises tantalum nitride. The cap l
What is claimed is: 1. A method for forming a cap layer, comprising: depositing a barrier layer in a feature in a dielectric layer of a substrate; filling the feature with a metal-containing layer; planarizing the substrate to create a planar surface comprising a surface of the dielectric layer and
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