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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0867346 (2004-06-14) |
등록번호 | US-7268074 (2007-09-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 40 |
A multilayer metal cap over a metal-filled interconnect feature in a dielectric layer for incorporation into a multilayer integrated circuit device, and a method for forming the cap.
What is claimed is: 1. A method for forming a multilayer metal cap over a metal-filled interconnect feature in a dielectric layer for incorporation into a multilayer integrated circuit device comprising: depositing a first metal cap layer having a thickness between about 100 and about 300 angstroms
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