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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0046912 (2005-01-31) |
등록번호 | US-7282425 (2007-10-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 22 |
A method for fabricating a semiconductor substrate includes epitaxially growing an elemental semiconductor layer on a compound semiconductor substrate. An insulating layer is deposited on top of the elemental semiconductor layer, so as to form a first substrate. The first substrate is wafer bonded o
What is claimed is: 1. A method of fabricating a semiconductor substrate comprising the steps of: forming a compound semiconductor substrate having a bulk material, a first layer on top of the bulk material and a second layer on top of the first layer formed of the bulk material; forming a third la
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